El nou xip A10X de l'iPad Pro es va revelar com a primer fabricat amb el procés de 10 nm de TSMC

Amb el llançament dels nous models d'iPad Pro a la WWDC d'aquest any, Apple va presentar nous dispositius de 10,5 i 12,9 polzades amb un xip de fusió A10X, que es diu que ofereix un rendiment de CPU un 30% més ràpid que l'iPad Pro de la generació anterior. models i un rendiment gràfic un 40% més ràpid. El procés de fabricació pel qual Apple va fabricar el xip mai va ser clar, però ara TechInsights ha confirmat que el xip A10X es va construir mitjançant un procés FinFET de 10 nanòmetres.

Concretament, els xips es van construir mitjançant el nou procés FinFET de 10 nanòmetres de Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, convertint l'A10X en el primer xip TSMC de 10 nanòmetres que apareix en un dispositiu de consum. En comparació, l'A9 i l'A10 es van construir amb un procés de 16 nanòmetres, l'A8 va utilitzar un procés de 20 nanòmetres i l'A7 va utilitzar un procés de 28 nanòmetres. Com AnandTech va assenyalar, l'A9, l'A8 i l'A7 eren tots xips d'iPhone que van estrenar un nou node de procés en el moment de la seva fabricació, per la qual cosa no està clar per què Apple va decidir fabricar un xip de la sèrie X de mitjana generació dins d'un iPad amb un nou procés. node aquesta vegada.

Imatge a través de TechInsights
En comparació amb els estàndards de SoC anteriors que no són de la sèrie X, l'A10X (96,4 mm quadrats) és un 24 per cent més petit que l'A10 (125 mm quadrats) i un 9 per cent més petit que l'A9 (104,5 mm quadrats). Per als xips anteriors de la sèrie X, l'A10X és un 34 per cent més petit que l'A9X i un 20 per cent més petit que l'A6X. 'En altres paraules, Apple mai no havia fet un iPad SoC tan petit abans', AnandTech explicat.

En última instància, el que això significa és que, quant a disseny i característiques, A10X és relativament senzill. És un producte de neteja de canonades adequat per a un procés nou, i està orientat a aprofitar al màxim l'estalvi d'espai de matriu en lloc de gastar aquests estalvis en noves funcions/transistors.

TechInsights ' die shot va revelar alguns detalls sobre el plànol de l'A10X, inclosos 12 clústers de GPU a l'esquerra i nuclis de CPU a la dreta, però, en cas contrari, els trets no estaven prou nets per obtenir més informació sobre el xip que Apple encara no té. confirmat. Es diu que el SoC 'conservador' és en gran mesura similar al SoC A9X, amb algunes diferències: l'A10X inclou 3 parells de nuclis de CPU Fusion, de 2 a l'A10 i l'A9X, i ha vist un augment a la memòria cau L2 fins als 8MB. , des de 3 MB a l'A9X.

Imatge a través d'AnandTech
La GPU es queda amb 12 clústers, que es veuen al plànol, que també tenia l'A9X, el que significa que 'l'únic canvi important són els nuclis de la CPU'. Així, l'A10X és més potent que l'A9X amb una disminució significativa de la mida de la matriu, com és típic amb els processos de fabricació d'Apple. Una confirmació que ofereix el tret de matriu sembla ser que Apple encara utilitza l'arquitectura PowerVR d'Imagination Technology al SoC A10X. L'abril passat, Apple va dir al fabricant que deixaria d'utilitzar la seva tecnologia gràfica als seus dispositius en un termini de dos anys, perquè l'empresa de Cupertino està desenvolupant els seus propis xips de processament de gràfics independents.

Al març es va informar que TSMC s'estava preparant per començar la producció del xip A11 de l'iPhone 8 i, després d'un retard, la producció ha començat oficialment, també utilitzant el procés FinFET de 10 nanòmetres del fabricant. En general, el salt a 10 nanòmetres en lloc de 16 nanòmetres produirà xips amb més eficiència energètica, donant lloc a experiències d'usuari més àgils.

Per a TSMC, es preveu que el procés FinFET de 10 nanòmetres sigui un node de curta durada, ja que es diu que el fabricant s'està preparant per saltar a un procés de 7 nanòmetres el 2018. Es creu que altres fabricants, inclosos Samsung i Intel, mantenir-se amb 10 nanòmetres com a procés de fabricació principal durant una mica més que TSMC.