Apple canviarà d'utilitzar el flaix NAND TLC (cel·la de triple nivell) a flaix NAND MLC (cel·la multinivell) a l'iPhone 6 i l'iPhone 6 Plus després que els usuaris hagin experimentat problemes de bloqueig i de bucle d'arrencada amb les versions de major capacitat d'ambdós dispositius, informes Corea dels negocis .
Les fonts han dit al diari que l'empresa de memòries flash Anobit, que Apple va adquirir el 2011, és la culpable dels defectes de fabricació. S'ha informat que Apple canviarà al flaix MLC NAND per a l'iPhone 6 de 64 GB i l'iPhone 6 Plus de 128 GB, i també abordarà els problemes de bloqueig i de bucle d'arrencada amb el llançament d'iOS 8.1.1. Apple ja ha utilitzat el flash MLC NAND abans, en els iPhones de la generació anterior.
El flash TLC NAND és un tipus de memòria flash NAND d'estat sòlid que emmagatzema tres bits de dades per cel·la. Pot emmagatzemar tres vegades més dades que la cel·la d'un sol nivell (SLC) que emmagatzema un bit de dades i 1,5 vegades més que la memòria flash d'estat sòlid de cèl·lula multinivell (MLC) que emmagatzema dos bits de dades. A més, el flash TLC és més assequible. Tanmateix, també és més lent que SLC o MLC en llegir i escriure dades.
Apple va llançar la seva primera versió beta d'iOS 8.1.1 als desenvolupadors a principis d'aquesta setmana, tot i que l'empresa no va especificar si les correccions d'errors incloses van solucionar problemes de bucle d'arrencada i bloqueig a l'iPhone 6 i l'iPhone 6 Plus. Es recomana als usuaris que experimentin una quantitat inusual de bucles d'arrencada i bloquejos amb el seu iPhone 6 o iPhone 6 Plus que tornin a portar els seus dispositius a una botiga Apple Retail perquè els substitueixin.
Entrades Populars